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BOKI_1000粗糙度測量設(shè)備介紹

更新時間:2023-08-17      點擊次數(shù):924

在半導(dǎo)體行業(yè)中,Bump、RDL、TSV、Wafer合稱先進封裝的四要素,其中Bump起著界面互聯(lián)和應(yīng)力緩沖的作用。

 

Bump是一種金屬凸點,從倒裝焊FlipChip出現(xiàn)就開始普遍應(yīng)用,Bump的形狀有多種,常見的為球狀和柱狀,也有塊狀等其他形狀,下圖所示為各種類型的Bump。

圖片1.jpg

Bump起著界面之間的電氣互聯(lián)和應(yīng)力緩沖的作用,從Bondwire工藝發(fā)展到FlipChip工藝的過程中,Bump起到了至關(guān)重要的作用。隨著工藝技術(shù)的發(fā)展,Bump的尺寸也變得越來越小,從最初 Standard FlipChip的100um發(fā)展到現(xiàn)在最小的5um。

 

伴隨著工藝技術(shù)的高速發(fā)展,對于Bump的量測要求也不斷提高,需要把控長寬尺寸,高度均勻性,亞納米級粗糙度、三維形貌等指標。

 

以粗糙度指標為例,電鍍工藝后的Cu 凸點表面粗糙并存在一定的高度差,所以鍵合前需要對其表面進行平坦化處理,如化學(xué)機械拋光(CMP),使得鍵合時Cu 表面能夠充分接觸,實現(xiàn)原子擴散,由此可見把控Bump表面粗糙度是必*過程。

 

為了貼合工藝制程,積極響應(yīng)客戶Bump 計量需求,中圖儀器以高精度、多功能合一等優(yōu)勢將自研量測設(shè)備推向眾多半導(dǎo)體客戶。BOKI_1000系統(tǒng)支持鍵合、減薄、翹曲和切割后的基板,可以為包括切割后、預(yù)鍵合、銅焊盤圖案化、銅柱、凸塊(Bump)、硅通孔(TSV)和再分布層(RDL)在內(nèi)的特征提供優(yōu)異的量測能力。

 

Bump Metrology system—BOKI_1000

圖片2.jpg

 

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